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HF del FET eccellente 28V del transistor LDMOS dell'amplificatore di potenza di stabilità rf di Theramal a 2.7GHz

Name: HF del FET eccellente 28V del transistor LDMOS dell'amplificatore di potenza di stabilità rf di Theramal a 2.7GHz
Brand: VBE
SKU: VBE10R5
Rating: 4.5 (129 reviews)

Dettagli del prodotto

Luogo di origine: La Cina

Marca: VBE

Certificazione: ISO

Numero di modello: VBE10R5

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Quantità di ordine minimo: 1pcs

Imballaggi particolari: imballaggio neutro

Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi

Capacità di alimentazione: 10k

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                                                                                                                                            transistor di alto potere rf, transistor di potenza ad alta frequenza
                                                      

circostanza:

Nuovissimo ed originale

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HF del FET eccellente 28V del transistor LDMOS dell'amplificatore di potenza di stabilità rf di Theramal a 2.7GHz

HF del FET eccellente 28V del transistor LDMOS dell'amplificatore di potenza di stabilità rf di Theramal a 2.7GHz 0

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Ampio transistor a banda larga dei FETs 28V LDMOS rf del transistor di potenza LDMOS della banda 700-3600MHz 20W rf, transistor di alto potere rf

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