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Casa ProdottiTransistor di potenza RF

Ampio transistor a banda larga dei FETs 28V LDMOS rf del transistor di potenza LDMOS della banda 700-3600MHz 20W rf, transistor di alto potere rf

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Dettagli:
Luogo di origine: La Cina
Marca: VBE
Certificazione: ISO
Numero di modello: VBE36015E2
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1pcs
Imballaggi particolari: imballaggio neutro
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Capacità di alimentazione: 10k
Descrizione di prodotto dettagliata
Circostanza: Nuovo di zecca e originale
Evidenziare:

TRANSISTOR DI ALTO POTERE RF

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transistor dell'amplificatore di potenza di rf

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Ampio transistor di potenza della banda rf

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Dettagli di contatto
VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.

Persona di contatto: sales

Telefono: +8613794498013

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