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VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
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50W 2 3 separatore femminile 800-2700MHz di potere di 4 modi N rf

Dettagli del prodotto

Luogo di origine: La Cina

Marca: VBE

Numero di modello: VBE-S2/S3/S4

Termini di pagamento e di spedizione

Quantità di ordine minimo: 1PCS

Imballaggi particolari: Imballaggio neutrale

Tempi di consegna: 5 - 10 giorni lavorativi

Capacità di alimentazione: 100000PCS al mese

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Specificità
Evidenziare:

Separatore femminile di potere di N rf

,

separatore di potere di 50W rf

,

2700MHz 4 separatore di modo rf

Connettore di rf:
N-femminile
Trattamento di potere (W):
50
Impedenza (Ω):
50
V.S.W.R:
≤1.25
Direzionalità (dB):
≥20
Gamma di frequenza (megahertz):
806~960 & 1710~2500
Connettore di rf:
N-femminile
Trattamento di potere (W):
50
Impedenza (Ω):
50
V.S.W.R:
≤1.25
Direzionalità (dB):
≥20
Gamma di frequenza (megahertz):
806~960 & 1710~2500
Descrizione
50W 2 3 separatore femminile 800-2700MHz di potere di 4 modi N rf

Separatore 800-2700MHz 2 di potere di rf modo modo/3 modi/4

Caratteristiche:

Perdita di inserzione bassa, alto isolamento, affidabile, adatto a sistema di comunicazione su mezzi mobili di microonda.

I parametri specifici possono essere progettati secondo le esigenze degli utenti.

Applicazioni:

Ottimizzazione mobile della rete di comunicazione e sistema di distribuzione dell'interno.

Caratteristiche tecniche:

Oggetti bidirezionale a tre corsie 4-way
Modello NO. VBE-S2 VBE-S3 VBE-S4
Gamma di frequenza (megahertz) 806~960 & 1710~2500
Perdita di separatore (dB) 3 4,8 6
Perdita di inserzione (dB) ≤0.3 ≤0.4 ≤0.6
Direzionalità (dB) ≥20
Intermodulazione ≥140dBc (+43dBm*2)
V.S.W.R ≤1.25
Impedenza (Ω) 50
Trattamento di potere (W) 50
Connettore di rf N-femminile
Temperatura di funzionamento -35 ºC del ºC ~+60

50W 2 3 separatore femminile 800-2700MHz di potere di 4 modi N rf 0

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