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VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
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Modulo su ordine dell'amplificatore di potenza di rf, amplificatore ultra a basso rumore 40 di rf guadagno 50 60dB

Dettagli del prodotto

Luogo di origine: La Cina

Marca: VBE

Certificazione: ISO9001

Numero di modello: VBP2GL

Termini di pagamento e di spedizione

Quantità di ordine minimo: 1SET

Prezzo: Customized Product

Imballaggi particolari: imballaggio neutro

Tempi di consegna: 7-15 giorni

Termini di pagamento: T / T, Western Union,

Capacità di alimentazione: 10000 pc al mese

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Specificità
Evidenziare:

Amplificatore di potenza di radiofrequenza

,

amplificatore di potenza a banda larga di rf

Nome del prodotto:
2GHz, S-banda, amplificatore a basso rumore LNA
Banda di frequenza:
Personalizzabile
TEMPERATURA DI LAVORO:
-40~+70°C
Tensione di funzionamento:
CC +12V
Nome del prodotto:
2GHz, S-banda, amplificatore a basso rumore LNA
Banda di frequenza:
Personalizzabile
TEMPERATURA DI LAVORO:
-40~+70°C
Tensione di funzionamento:
CC +12V
Descrizione
Modulo su ordine dell'amplificatore di potenza di rf, amplificatore ultra a basso rumore 40 di rf guadagno 50 60dB

2GHz, S-banda, amplificatore a basso rumore LNA, modulo dell'amplificatore di potenza di rf

Introduzioni del modulo dell'amplificatore di potenza di VBE rf:

VBE forniscono le soluzioni di moduli di rf compreso la fonte del segnale di radiofrequenza, l'amplificatore di potenza di radiofrequenza (PA), l'amplificatore a basso rumore (LNA), l'unità all'aperto di radiofrequenza (ODU) e la soluzione su misura del modulo di radiofrequenza, la banda di P-Wave della copertura della banda di frequenza, la banda di L-Wave, la banda di S-Wave, la banda di Ku-Wave e la banda di Ka-Wave ecc, largamente applicandosi nel sistema di qualità superiore dell'attrezzatura. Il modulo adotta una serie di tecnologia avanzata in prodotto che progetta e risponde all'esigenza differente della funzione e del parametro di prestazione.

Caratteristiche di prodotto di VBP2GL:

1. Ampia banda di frequenza;
2. rumore basso dell'uscita;
3. basso consumo energetico, alta linearità;
4. processo di microassemblaggio elettronico dell'ibrido, piccola dimensione, alta stabilità;
5. ampia gamma di temperatura di funzionamento;
6. disponibile su ordine


Caratteristiche tecniche:

NO. Oggetto Descrizione Massimo tipico di min Unità
1 Banda di frequenza A
B
C
2,2 2,4
2,4 2,5
2,3 2,8
Gigahertz
2 Guadagno Selezionabile 40 50 60 dB
3 Planarità di guadagno Banda piena +/--0,5 dB
4 VSWR Ingresso/uscita 1.3:1
5 Temperatura di rumore °C 23 45 °K
6 potere del punto di compressione 1dB
≥+10 dBm
7 terzo ordine IMD Dual-tone-12dBm ≤-51 dBc
8 Stabilità di guadagno 24 ore +/--0,5 dB
9 Connettore Ingresso/uscita N o SMA
10 Sovraccarico dell'input Sovraccarico 1min 0 dBm
11 Tensione di funzionamento CC +12 +15 V
12 Temperatura di lavoro
-40~+70 °C


Applicazioni di VBP2GL:

  1. Comunicazione di Satallite;
  2. Comunicazione militare;
  3. Blocco dei segnali radio;
  4. Contromisure elettroniche (ECM);
  5. Comunicazioni via radio.
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