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CC della banda rf del transistor di potenza ad alta velocità del prodotto solido ampia a 3GHz 120W

Name: CC della banda rf del transistor di potenza ad alta velocità del prodotto solido ampia a 3GHz 120W
Brand: VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
SKU: VBE6006H
Price: 220.00 USD
Availability: InStock

Dettagli del prodotto

Luogo di origine: La Cina

Marca: VBE

Certificazione: ISO

Numero di modello: VBE6006H

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Quantità di ordine minimo: 1pcs

Imballaggi particolari: imballaggio neutro

Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi

Capacità di alimentazione: 10k

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Condizione:

nuovo ed originale

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CC della banda rf del transistor di potenza ad alta velocità del prodotto solido ampia a 3GHz 120W

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Ampio transistor a banda larga dei FETs 28V LDMOS rf del transistor di potenza LDMOS della banda 700-3600MHz 20W rf, transistor di alto potere rf

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