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VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
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lega di alluminio femminile della combinatrice della cavità di 800-2700MHz N rf

Dettagli del prodotto

Luogo di origine: La Cina

Marca: VBE

Numero di modello: VBE-C2GD

Termini di pagamento e di spedizione

Quantità di ordine minimo: 1PCS

Imballaggi particolari: Imballaggio neutrale

Tempi di consegna: 5 - 10 giorni lavorativi

Capacità di alimentazione: 100000PCS al mese

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Specificità
Evidenziare:

Combinatrice femminile della cavità di N rf

,

combinatrice della cavità di 2700MHz rf

,

Combinatrice di potere della lega di alluminio rf

Materiale dell'alloggio:
Lega di alluminio
Connettore di rf:
N-femminile
Trattamento di potere (W):
100
Impedenza (Ω):
50
V.S.W.R:
≤1.25
Intermodulazione:
≥140dBc (+43dBm*2)
Materiale dell'alloggio:
Lega di alluminio
Connettore di rf:
N-femminile
Trattamento di potere (W):
100
Impedenza (Ω):
50
V.S.W.R:
≤1.25
Intermodulazione:
≥140dBc (+43dBm*2)
Descrizione
lega di alluminio femminile della combinatrice della cavità di 800-2700MHz N rf

Combinatrice 800-2700MHz della cavità di rf

Caratteristiche:

Perdita di inserzione bassa, alto isolamento, affidabile, adatto a sistema di comunicazione su mezzi mobili di microonda.

I parametri specifici possono essere progettati secondo le esigenze degli utenti.

Applicazioni:

Ottimizzazione mobile della rete di comunicazione e sistema di distribuzione dell'interno.

Caratteristiche tecniche:

Oggetti GSM+DCS GSM+WCDMA DCS+WCDMA GSM+DCS+WCDMA
Modello NO. VBE-C2GD VBE-C2GW VBE-C2DW VBE-C3GDW
Gamma di frequenza (megahertz) disponibile su richiesta
Perdita di inserzione (dB) 0,3 0,3 0,8 0.4/0.8/0.8
Isolamento (dB) ≥80 ≥90 ≥80 ≥80
Intermodulazione ≥140dBc (+43dBm*2)
V.S.W.R ≤1.25
Impedenza (Ω) 50
Trattamento di potere (W) 100
Connettore di rf N-femminile
Temperatura di funzionamento -35 ºC~+60 ºC
Dimensione (millimetri) 152*94*33 152x94*32 176*142*42 210*142*42
Peso (chilogrammi) 0,8 0,78 1,2 1,4
Abitazione del materiale Lega di alluminio

Pics:

lega di alluminio femminile della combinatrice della cavità di 800-2700MHz N rf 0

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