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Ampia CC della banda del transistor di potenza durevole di rf al nitruro di gallio di 6GHz 25W 28 volt

Name: Ampia CC della banda del transistor di potenza durevole di rf al nitruro di gallio di 6GHz 25W 28 volt
Brand: VBE
SKU: VBE6003H
Rating: 4.6 (141 reviews)

Dettagli del prodotto

Luogo di origine: La Cina

Marca: VBE

Certificazione: ISO

Numero di modello: VBE6003H

Termini di pagamento e di spedizione

Quantità di ordine minimo: 1pcs

Imballaggi particolari: imballaggio neutro

Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi

Capacità di alimentazione: 10k

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                                                                                                                                            TRANSISTOR DI ALTO POTERE RF, transistor di potenza ad alta frequenza, Banda del transistor di potenza di rf ampia
                                                      

Circostanza:

Nuovo di zecca e originale

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Descrizione

Ampia CC della banda del transistor di potenza durevole di rf al nitruro di gallio di 6GHz 25W 28 volt

Ampia CC della banda del transistor di potenza durevole di rf al nitruro di gallio di 6GHz 25W 28 volt 0

Ampia CC della banda del transistor di potenza durevole di rf al nitruro di gallio di 6GHz 25W 28 volt 1

Ampia CC della banda del transistor di potenza durevole di rf al nitruro di gallio di 6GHz 25W 28 volt 2

Ampia CC della banda del transistor di potenza durevole di rf al nitruro di gallio di 6GHz 25W 28 volt 3

Tags:

Ampio transistor a banda larga dei FETs 28V LDMOS rf del transistor di potenza LDMOS della banda 700-3600MHz 20W rf, transistor di alto potere rf

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