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transistor di alto potere dei FETs rf di 700-1000MHz LDMOS 28V 260W con protezione integrata di ESD

Name: transistor di alto potere dei FETs rf di 700-1000MHz LDMOS 28V 260W con protezione integrata di ESD
Brand: VBE
SKU: VBE09260B2
Rating: 4.8 (159 reviews)

Dettagli del prodotto

Luogo di origine: La Cina

Marca: VBE

Certificazione: ISO

Numero di modello: VBE09260B2

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Quantità di ordine minimo: 1pcs

Imballaggi particolari: imballaggio neutro

Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi

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Condizione:

nuovo ed originale

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transistor di alto potere dei FETs rf di 700-1000MHz LDMOS 28V 260W con protezione integrata di ESD

transistor di alto potere dei FETs rf di 700-1000MHz LDMOS 28V 260W con protezione integrata di ESD 0

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